在實驗領(lǐng)域，化學(xué)氣相沉積是一種化學(xué)技術(shù)，該技術(shù)最主要的方法是利用一種或幾種氣相化合物或含有薄膜元素的單一物質(zhì)，在襯底最表面上通過化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生薄膜為結(jié)果。 來深入了解下化學(xué)氣相沉積的技術(shù)原理和重要特點。主要是利用一種或幾種氣相化合物或含有薄膜元素的單一物質(zhì)，通過化學(xué)反應(yīng)在基材表面產(chǎn)生薄膜。 


    化學(xué)氣相沉積已成為無機合成化學(xué)的一個新領(lǐng)域，這些主要材料可以是必須的氧化物、氮化物、碳化物、硫化物，或者可以是二元III-V、II-IV、IV-VI族的二元或多元元素間化合物，它們的物理功能可以通過氣相 . 摻雜沉積過程受到非常精確的控制效果?；瘜W(xué)氣相沉積是這么多年最可靠的一種制備無機材料的新技術(shù)， 化學(xué)氣相沉積已常見用于凈化物質(zhì)和開發(fā)新晶體，沉積各種單晶、多晶還有玻璃態(tài)無機薄膜材料。 

    設(shè)備的工藝操作都較簡單、靈活性較強，可以制備單一或復(fù)合膜層以及合金膜層，CVD法的使用性較廣泛，用作制備金屬和金屬膜涂層的實驗，因沉積速率可高達每分鐘幾微米到數(shù)百微米，所以又有很高的生產(chǎn)效率被青睞，與PVD法相比較繞射性好，非常適宜涂覆形狀復(fù)雜的基本，涂孔甚至盲孔結(jié)構(gòu)均可鍍制成膜，它的涂層致密性好，由于成膜過程溫度較高，膜基界面上的附著力很強，故膜層十分牢固，承受放射線輻射后的損傷較低，能與MOS集成電路工藝相融合。

    電爐CVD技術(shù)的離不開的設(shè)備是化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，它主要用于CVD實驗或者真空氣氛保護燒結(jié)、真空燒結(jié)、納米的材料制備研制、電池材料等等很多種研究行業(yè)領(lǐng)域哦。這款技術(shù)使用熱處理實驗的時候需要了解它的重要特點優(yōu)點。

    等離子電爐CVD技術(shù)的不足沉積后溫度高可在810至1120℃,用于這樣高的溫度下工件很容易變形或者彎曲，需要高精度尺寸的工件要特別注意，所以它的用途會受限制，還有就是沉積它的反應(yīng)物質(zhì)以及反應(yīng)過后的氣體大都具有有易燃、毒、易爆炸、還有腐蝕性，所以我們要做好防護措施在進行實驗操作。